Opis
Isporuka uključuje
MOSFET Infineon Technologies IRFP3703PBF 1 N-kanal 3.8 W TO-247
Varnost izdelkov (GPSR)
Proizvajalčeva koda: IRFP3703PBF
EAN koda: 2050000042980
Registrirana blagovna znamka: Infineon Technologies
Ime proizvajalca: Infineon Technologies AG
Naslov proizvajalca: Am Campeon 1-15
Poštna številka proizvajalca: 85579
Kraj proizvajalca: Neubiberg
Država proizvajalca: Germany
Telefon proizvajalca: +49892340
Elektronski kontakt proizvajalca: https://www.infineon.com/cms/de/
Kontakt odgovorne osebe za varnost: [email protected]
Država odgovorne osebe za varnost: Nemčija
Dokumenti
Podatkovna tablica 162652 Infineon Technologies IRFP3703PBF MOSFET 1 N-kanal 3.8 W TO-247
Upute za rad i sigurnost 162652 Infineon Technologies IRFP3703PBF MOSFET 1 N-kanal 3.8 W TO-247
Upute za rad i sigurnost 162652 Infineon Technologies IRFP3703PBF MOSFET 1 N-kanal 3.8 W TO-247
Upute za rad i sigurnost 162652 Infineon Technologies IRFP3703PBF MOSFET 1 N-kanal 3.8 W TO-247
Upute za rad i sigurnost 162652 Infineon Technologies IRFP3703PBF MOSFET 1 N-kanal 3.8 W TO-247
Upute za rad i sigurnost 162652 Infineon Technologies IRFP3703PBF MOSFET 1 N-kanal 3.8 W TO-247
Upute za rad i sigurnost 162652 Infineon Technologies IRFP3703PBF MOSFET 1 N-kanal 3.8 W TO-247
Upute za rad i sigurnost 162652 Infineon Technologies IRFP3703PBF MOSFET 1 N-kanal 3.8 W TO-247
Upute za rad i sigurnost 162652 Infineon Technologies IRFP3703PBF MOSFET 1 N-kanal 3.8 W TO-247
Upute za rad i sigurnost 162652 Infineon Technologies IRFP3703PBF MOSFET 1 N-kanal 3.8 W TO-247
Upute za rad i sigurnost 162652 Infineon Technologies IRFP3703PBF MOSFET 1 N-kanal 3.8 W TO-247
Upute za rad i sigurnost 162652 Infineon Technologies IRFP3703PBF MOSFET 1 N-kanal 3.8 W TO-247
Upute za rad i sigurnost 162652 Infineon Technologies IRFP3703PBF MOSFET 1 N-kanal 3.8 W TO-247
Upute za rad i sigurnost 162652 Infineon Technologies IRFP3703PBF MOSFET 1 N-kanal 3.8 W TO-247
Tehnički podaci
| Tip |
IRFP3703PBF |
|---|---|
| Vrsta proizvoda |
MOSFET |
| Kućište |
TO-247 |
| Proizvođač |
Infineon Technologies |
| Proiz. |
INF |
| Izvedba |
N-kanal |
| I(d) |
210 A |
| U(BR) (DSS) |
30 V |
| Snaga (maks) P(TOT) |
3.8 W |
| R(DS)(on) |
2.8 mΩ |
| R(DS)(on) referentna struja |
76 A |
| R(DS)(on) referentni napon |
10 V |
| U(GS)(th) maks. |
4 V |
| U(GS)(th) referentna struja maks. |
250 µA |
| Q(G) |
209 nC |
| Q(G) referentni napon |
10 V |
| C(ISS) |
8250 pF |
| Referentni napon |
25 V |
| Radna temperatura (min.) |
-55 °C |
| Vrsta montaže |
otvor za skoznik |
| Serija |
HEXFET® |
| Radna temperatura (maks.) |
+175 °C |
| Karakteristika transistora |
standardno |
| U(DSS) |
30 V |
| Kanali |
1 |
| Sadržaj |
1 St. |

0 od 5